HF Gas
산화막 식각 및 웨이퍼 세정 공정용5N grade ultra-high purity HF for oxide etching & wafer cleaningHF in 5N-Reinheit (ultrahochrein) für Oxidätzung und Wafer-Reinigung用于氧化膜蚀刻和晶圆清洗的5N级超高纯HF酸化膜エッチング・ウェハー洗浄用 5N級超高純度HF
CAS No. 7664-39-3 | MW: 20.01 g/mol | Formula: HF
제품 규격Product SpecificationsProduktspezifikationen产品规格製品仕様
| 항목ParameterParameter项目項目 | 규격SpecificationSpezifikation规格規格 | 단위UnitEinheit单位単位 |
|---|---|---|
| Purity (순도) | - | vol% |
UN 1052 (독성·부식성)UN 1052 (Toxic & Corrosive)UN 1052 (Giftig & Ätzend)UN 1052（有毒和腐蚀性）UN 1052（毒性・腐食性）
주요 적용 공정Key ApplicationsWichtigste Anwendungen主要应用工艺主要適用工程
산화막 식각Oxide EtchingOxidätzung氧化膜蚀刻酸化膜エッチング
SiO₂, TEOS 선택적 식각Selective SiO₂/TEOS etchingSelektives Ätzen von SiO₂/TEOSSiO₂、TEOS选择性蚀刻SiO₂・TEOS選択エッチング
웨이퍼 세정Wafer CleaningWafer-Reinigung晶圆清洗ウェハー洗浄
네이티브 산화막 제거Native oxide removalEntfernung von natürlichem Oxid去除自然氧化膜自然酸化膜の除去
CVD 챔버 세정CVD Chamber CleanCVD-KammerreinigungCVD腔室清洗CVDチャンバー洗浄
증착 후 챔버 컨디셔닝In-situ chamber conditioningIn-situ-Kammerkonditionierung原位腔室调节インサイチュチャンバーコンディショニング
3D NAND 공정3D NAND Process3D-NAND-Prozess3D NAND工艺3D NAND工程
고단 적층 산질화막 식각High-stack ONO layer etchingÄtzen von hochgestapelten ONO-Schichten高层堆叠ONO层蚀刻高積層ONO膜エッチング
