GeH₄ Gas
FinFET·GAAFET SiGe 에피택시 공정용 5N급 초고순도 GeH₄6N grade ultra-high purity germane for FinFET & GAAFET SiGe epitaxyUltrahochreines Germangas (6N) für FinFET- und GAAFET-SiGe-Epitaxieprozesse用于FinFET和GAAFET SiGe外延工艺的6N级超高纯锗烷FinFET・GAAFET SiGeエピタキシー工程用6N級超高純度ゲルマン
CAS No. 7782-65-2 | MW: 76.62 g/mol | Formula: GeH₄
제품 규격Product SpecificationsProduktspezifikationen产品规格製品仕様
| 항목ParameterParameter项目項目 | 규격SpecificationSpezifikation规格規格 | 단위UnitEinheit单位単位 |
|---|---|---|
| Purity (순도) | 99.999% (5N) | vol% |
CoA + MSDS 제공CoA + MSDS ProvidedCoA + MSDS bereitgestellt提供CoA + MSDSCoA + MSDS 提供
UN 2192 (독성가스)UN 2192 (Toxic Gas)UN 2192 (Giftiges Gas)UN 2192（有毒气体）UN 2192（毒性ガス）
주요 적용 공정Key ApplicationsWichtigste Anwendungen主要应用工艺主要適用工程
SiGe Epitaxy
Si₁₋ₓGeₓ 에피층 성장Si₁₋ₓGeₓ epitaxial layer growthSi₁₋ₓGeₓ-EpitaxieschichtwachstumSi₁₋ₓGeₓ外延层生长Si₁₋ₓGeₓエピタキシャル層成長
FinFET / GAAFET
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